ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
Физический энциклопедический словарь.— М.: Советская энциклопедия.Главный редактор А. М. Прохоров.1983.
- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
-
- общее название разнообразных приборов, действие к-рых основано на свойствах полупроводников - однородных (табл. 1) и неоднородных, содержащих p- п - переходы и гетеропереходы (табл. 2, 3). В П. п. используются разл. явления, связанные с чувствительностью полупроводников к внеш. воздействиям (изменению темп-ры, действию света, электрич. и магн. полей и др.), а также поверхностные свойства полупроводников (контакт полупроводник - металл, полупроводник - диэлектрик и их сочетания).
Табл. 1. - Полупроводниковые приборы на основе однородного полупроводника
Внешнее воздействие
Используемое явление (свойство)
Название прибора
Число
электродов
Свет
Пропускание света выше определ. частоты
Оптич. фильтр
0
"
Генерация носителей заряда под действием света
Полупроводниковый лазер с оптич. накачкой
Электронный пучок
Генерация носителей под действием электронов
Полупроводниковый лазер с накачкой электронным пучком
-Электрич. поле E
Электропроводность полупроводника s ток I=s Е
Резистор (сопротивление)
-
"
Ганна эффект
Генератор Ганна
2
Свет частоты w и E
Фотосопротивление (фоторезистор)
2
E и магн. поле н
Магнето резистивный эффект ( магнето-сопротивление)
Сопротивление (резистор), управляемое магн. полем
2
"
Холла эффект; V Н=f( Е, Н)
Датчик Холла
4
Е, темп-pa Т
Зависимость электропроводности полупроводника от темп-ры; I=s(T)E
Термистор (терморезистор)
2
Е, давление p
Тензорезистивный эффект
Тензодатчик
2
Табл. 2. - Многопереходные полупроводниковые приборы
Внешнее воздействие
Название
Основные особенности
Число электродов
E1 или Е 2
Биполярный транзистор
Взаимосвязанные р- и n-переходы
3
Е
Диодный тиристор
Четырёхслойная
структура p - n- p - n
2
"
Триодный тиристор
p - n - p - n -структура с 1 управляю-
щим электродом
3
"
Полевой транзистор
с p- n -переходом
Униполярный транзистор с затвором
в виде p- n -перехода
"
МДП-диод
Диоды с МДП-структурой (переменная ёмкость, светоизлучающие диоды, приёмники света)
2
"
МДП-транзистор
(МДП-триод)
МДП-структура
3
Наряду с П. п., классификация к-рых приведена в табл. 1, 2, 3, к П. п. относят также полупроводниковые интегральные схемы - монолитные функциональные узлы, все элементы к-рых изготовляются в едином технол. процессе.
Лит.: Пасынков В. В., Чиркип Л. К., Шинков А. Д., Полупроводниковые приборы, 4 изд., М., 1987; Федотов Я. А., Основы физики полупроводниковых приборов, 2 изд., М., 1970; 3 и С. М., Физика полупроводниковых приборов, пер. с англ., кн. 1-2, М., 1984,
Табл. 3, - Полупроводниковые приборы с одним p-n -переходом, гетеропереходом или переходом металл-диэлектрик
Внешнее воздействие
Используемое явление
Название прибора
Число электродов
Свет
Вентильная фотоэдс
Полупроводниковый фотоэлемент, солнечная
батарея2
E
Вольт-амперная характеристика p - n -перехода
Полупроводниковый диод-выпрямитель
2
"
Зависимость сопротивления p - n-перехода от приложенного напряжения
Варистор (переменное сопротивление)
2
"
Зависимость ёмкости
p - n-перехода от приложенного напряжения
Варактор (переменная ёмкость)
2
"
Излучат, рекомбинация
электронов и дырок в
области гомо- или гетеро- р - n -перехода
(спонтанная)
Светоизлучающий диод (электро-люминесцентный диод)
2
"
N -образная вольт-амперная характеристика
сильнолегированного
(с двух сторон) р- п-
перехода (вырождение)
Туннельный диод
(усиление и генерирование
электрич. колебаний с частотами 10 ТГц)
2
"
Излучат, рекомбинация
(вынужденная) в области гомо- или (чаще) гетеро- p- n -переходов
Инжекционный лазер
2
"
Резкое возрастание тока через p- n -переход из
за лавинного пробоя и
туннелирования
Стабилизатор напряжения
2
"
Генерация колебаний
СВЧ, связанная с лавинным умножением и задержкой на время
пролёта
Лавинно-пролётный диод (генератор)
2
"
Вольт-амперная характеристика контакта металл - полупроводник
Диод Шоттки, диод Мотта, точечный диод
2
Генерация электронно-
дырочных пар частицей, влетающей в обеднённый носителями
слой вблизи контакта
полупроводник - металл или вблизи p - n -перехода
Полупроводниковый детектор частиц
"
T
Зеебека эффект
Термопара, термогенератор
"
E, T
Пельтье эффект
Холодильник Пельтье
"
Свет, Е
Генерация электронов и
дырок в области p- n-
перехода под дейстием
света
Фотодиод (детектор света и др.)
"
Физическая энциклопедия. В 5-ти томах. — М.: Советская энциклопедия.Главный редактор А. М. Прохоров.1988.
Смотреть больше слов в «Физической энциклопедии»
Смотреть что такое ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ в других словарях:
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
Электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. В электронике (См. Электроника) П. п. служат для пре... смотреть
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, электронные приборы, действие к-рых основано на электронных процессах в полупроводниках. В электронике П. п. служат для пр... смотреть
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
полупроводнико́вые прибо́ры электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Основой полупроводниковых при... смотреть
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
Полупроводнико́вые прибо́ры - электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Основой полупроводниковых приборов являются электронно-дырочные переходы - область на границе между полупроводниками с р - и n - проводимостью. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор), преобразования сигналов одного вида в другой (оптрон, фоторезистор, фотодиод, фототранзистор и др.), одних видов энергии в другие (термоэлемент, термоэлектрический генератор, солнечная батарея и др.), а также для преобразования изображений, измерения электрических величин (магнитоэлектрические приборы, напр. измерительный преобразователь) и механических величин (пьезоэлектрические и тензометрические приборы, реагирующие на давление или механическое смещение) и др. Особый класс полупроводниковых приборов - полупроводниковые интегральные схемы, представляющие собой законченные электронные устройства в виде единого блока (пластинки) из кремния, германия и других элементов, на котором методами полупроводниковой технологии образованы зоны, выполняющие функции активных и пассивных элементов (диодов, транзисторов, резисторов, конденсаторов и т. д.). <p class="tab">Полупроводниковые приборы выпускают в металлокерамических или пластмассовых корпусах, защищающих приборы от внешних воздействий. Достоинствами полупроводниковых приборов по сравнению с электронными лампами являются малые габаритные размеры, масса, потребляемая электрическая мощность и высокая надёжность, а недостатком - низкая радиационная стойкость.</p>... смотреть
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
электронные приборы, действие к-рых осн. на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока,... смотреть
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
, электронные приборы, действие которых основано на электрических процессах в полупроводниках. К полупроводниковым приборам, предназначенным для генерирования, усиления и преобразования электрических колебаний, относятся полупроводниковый диод, транзистор и тиристор. Кроме того, полупроводниковые приборы применяются для преобразования световых сигналов в электрические и наоборот (например, фоторезистор, светодиод), одних видов энергии в другие (например, термоэлемент, полупроводниковый фотоэлемент), а также для восприятия и преобразования изображения, измерения электрических и механических величин. Особый класс полупроводниковых приборов представляют полупроводниковые интегральные схемы. Малые габаритные размеры и масса, низкая потребляемая мощность, высокая надежность полупроводниковых приборов способствовали их быстрому проникновению в 1960 - 80 в разные области науки и техники, быт и т.д. К началу 90-х гг. разработано свыше 100 тыс. типов полупроводниковых приборов различного назначения.... смотреть
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор), преобразования сигналов одного вида в другой (оптрон, фоторезистор, фотодиод, фототранзистор и др.), одних видов энергии в другие (термоэлемент, термоэлектрический генератор, солнечная батарея и др.), а также для преобразования изображений, измерения электрической и механической величины и др. Особый класс полупроводниковых приборов - полупроводниковые интегральные схемы, представляющие собой законченные электронные устройства в виде единого блока (пластинки) из Si, Ge и др., на котором методами полупроводниковой технологии (преимущественно планарной) образованы зоны, выполняющие функции активных и пассивных элементов (диодов, транзисторов, резисторов, конденсаторов и т. д.).<br><br><br>... смотреть
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ - электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор), преобразования сигналов одного вида в другой (оптрон, фоторезистор, фотодиод, фототранзистор и др.), одних видов энергии в другие (термоэлемент, термоэлектрический генератор, солнечная батарея и др.), а также для преобразования изображений, измерения электрической и механической величины и др. Особый класс полупроводниковых приборов - полупроводниковые интегральные схемы, представляющие собой законченные электронные устройства в виде единого блока (пластинки) из Si, Ge и др., на котором методами полупроводниковой технологии (преимущественно планарной) образованы зоны, выполняющие функции активных и пассивных элементов (диодов, транзисторов, резисторов, конденсаторов и т. д.).<br>... смотреть
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор), преобразования сигналов одного вида в другой (оптрон, фоторезистор, фотодиод, фототранзистор и др.), одних видов энергии в другие (термоэлемент, термоэлектрический генератор, солнечная батарея и др.), а также для преобразования изображений, измерения электрической и механической величины и др. Особый класс полупроводниковых приборов - полупроводниковые интегральные схемы, представляющие собой законченные электронные устройства в виде единого блока (пластинки) из Si, Ge и др., на котором методами полупроводниковой технологии (преимущественно планарной) образованы зоны, выполняющие функции активных и пассивных элементов (диодов, транзисторов, резисторов, конденсаторов и т. д.).... смотреть
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ , электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор), преобразования сигналов одного вида в другой (оптрон, фоторезистор, фотодиод, фототранзистор и др.), одних видов энергии в другие (термоэлемент, термоэлектрический генератор, солнечная батарея и др.), а также для преобразования изображений, измерения электрической и механической величины и др. Особый класс полупроводниковых приборов - полупроводниковые интегральные схемы, представляющие собой законченные электронные устройства в виде единого блока (пластинки) из Si, Ge и др., на котором методами полупроводниковой технологии (преимущественно планарной) образованы зоны, выполняющие функции активных и пассивных элементов (диодов, транзисторов, резисторов, конденсаторов и т. д.).... смотреть
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
- электронные приборы, действие которых основанона электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования,усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрическихколебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор), преобразованиясигналов одного вида в другой (оптрон, фоторезистор, фотодиод,фототранзистор и др.), одних видов энергии в другие (термоэлемент,термоэлектрический генератор, солнечная батарея и др.), а также дляпреобразования изображений, измерения электрической и механическойвеличины и др. Особый класс полупроводниковых приборов - полупроводниковыеинтегральные схемы, представляющие собой законченные электронныеустройства в виде единого блока (пластинки) из Si, Ge и др., на которомметодами полупроводниковой технологии (преимущественно планарной)образованы зоны, выполняющие функции активных и пассивных элементов(диодов, транзисторов, резисторов, конденсаторов и т. д.).... смотреть
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
электронные приборы, действие к-рых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду т... смотреть
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
apparecchi a semiconduttori